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參數(shù)資料
| 型號： | HN29W6484AH03TE |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| 中文描述： | 控制器及快閃記憶體（及型閃速存儲器控制器） |
| 文件頁數(shù)： | 40/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | HN29W6484AH03TE |
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HN29W6484AH03TE-1
40
Used parameter
Command
Command code
FR
SC
SN
CY
DR
HD
LBA
Check power mode
E5H or 98H
N
N
N
N
Y
N
N
Execute drive diagnostic
90H
N
N
N
N
Y
N
N
Erase sector
C0H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Format track
50H
N
Y
N
Y
Y
Y
Y
Identify Drive
ECH
N
N
N
N
Y
N
N
Idle
E3H or 97H
N
Y
N
N
Y
N
N
Idle immediate
E1H or 95H
N
N
N
N
Y
N
N
Initialize drive parameters
91H
N
Y
N
N
Y
Y
N
Read buffer
E4H
N
N
N
N
Y
N
N
Read multiple
C4H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Read long sector
22H or 23H
N
N
Y
Y
Y
Y
Y
Read sector
20H or 21H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Read verify sector
40H or 41H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Recalibrate
1XH
N
N
N
N
Y
N
N
Request sense
03H
N
N
N
N
Y
N
N
Seek
7XH
N
N
Y
Y
Y
Y
Y
Set features
EFH
Y
N
N
N
Y
N
N
Set multiple mode
C6H
N
Y
N
N
Y
N
N
Set sleep mode
E6H or 99H
N
N
N
N
Y
N
N
Stand by
E2H or 96H
N
N
N
N
Y
N
N
Stand by immediate
E0H or 94H
N
N
N
N
Y
N
N
Translate sector
87H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Wear level
F5H
N
N
N
N
Y
Y
N
Write buffer
E8H
N
N
N
N
Y
N
N
Write long sector
32H or 33H
N
N
Y
Y
Y
Y
Y
Write multiple
C5H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Write multiple w/o erase
CDH
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Write sector
30H or 31H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Write sector w/o erase
38H
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Write verify
Note: FR: Feature register
SC: Sector Count register
SN: Sector Number register
CY: Cylinder register
DR: DRV bit of Drive Head register
HD: Head Number of Drive Head register
LBA: Logical Block Address Mode Supported
Y: The register contains a valid parameter for this command.
N: The register does not contain a valid parameter for this command.
3CH
N
Y
Y
Y
Y
Y
Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29W6484DH08TE | Controller for AND Flash Memory(AND型閃速存儲器控制器) |
| HN29WB800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
| HN462716 | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29W6484AH03TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W64AH05TE-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MEMORY CONTROLLER |
| HN29W8411SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:AND Flash EEPROM |
| HN29WB800 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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