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參數(shù)資料
| 型號： | HN29V51211 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| 中文描述： | 512M超過32113型快閃記憶體部門（542581248位） |
| 文件頁數(shù)： | 23/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | HN29V51211 |
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HN29V51211 Series
23
Parameter
CE
to output delay
OE
to output delay
OE
high to output float
RES
to
CE
setup time
CDE
setup time for
WE
CDE
hold time for
WE
CDE
setup time for SC
CDE
hold time for SC
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
t
CE
t
OE
t
DF
t
RP
t
CDS
t
CDH
t
CDSS
t
CDSH
t
RDY
t
CDOH
t
CDAC
t
CDF
t
COH
t
OES
t
OEL
t
SAC
t
SH
t
RS
t
RBSY
—
—
120
ns
—
—
60
ns
—
—
40
ns
1
0.3
—
—
ms
0
—
—
ns
20
—
—
ns
1.5
—
—
μs
30
—
—
ns
Next cycle ready time
CDE
to
OE
hold time
CDE
to output delay
CDE
to output invalid
CE
hold time for
OE
OE
setup time for SC
OE
low to output low-Z
0
—
—
ns
50
—
—
ns
—
—
50
ns
—
—
100
ns
0
—
—
ns
0
—
—
ns
0
—
40
ns
SC to output delay
—
—
50
ns
SC to output hold
RDY/
Busy
setup for SC
15
—
—
ns
200
—
—
ns
Busy time on read mode
Note:
1. t
DF
is a time after which the I/O pins become open.
—
45
—
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29W12811T-60 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12811 | 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector (135,657,984-bit) |
| HN29W12814A | 128M AND type Flash Memory(128M AND型閃速存儲器) |
| HN29W25611T-50 | 256M AND type Flash Memory More than 16,057-sector (271,299,072-bit) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29V51211T-50 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:512M AND type Flash Memory More than 32,113-sector (542,581,248-bit) |
| HN29V51211T-50H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Flash Application Design Guidelines Others |
| HN29VB800R-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800R-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29VB800SERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
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