參數(shù)資料
型號： HMC454ST89
廠商： 美國訊泰微波有限公司上海代表處
英文描述： InGaP HBT 1/2 WATT HIGH IP3 AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz
中文描述： 的InGaP HBT的1 / 2瓦特高IP3放大器，0.4 - 2.5吉赫
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代理商： HMC454ST89
MICROWAVE CORPORATION
8 - 256
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A
8
HMC454ST89
InGaP HBT WATT HIGH IP3
AMPLIFIER, 0.4 - 2.5 GHz
v02.0404
Outline Drawing
Absolute Maximum Ratings
Collector Bias Voltage (Vcc)
+6.0 Vdc
RF Input Power (RFin)(Vs = +5.0 Vdc)
+20 dBm
Junction Temperature
150 °C
Continuous Pdiss (T = 85 °C)
(derate 13.6 mW/°C above 85 °C)
0.890 W
Thermal Resistance
(junction to ground paddle)
73 °C/W
Storage Temperature
-65 to +150 °C
Operating Temperature
-40 to +85 °C
NOTES:
1. PACKAGE BODY MATERIAL: MOLDING COMPOUND MP-180S
OR EQUIVALENT.
2. LEAD MATERIAL: Cu w/Ag SPOT PLATING.
3. LEAD PLATING: 80Sn/20Pb
4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].
5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.
6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.
7. ALL GROUND LEADS MUST BE SOLDERED TO PCB RF GROUND.
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