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參數(shù)資料
| 型號： | HM621100A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 1048576-word ×1-bit High Speed CMOS Static RAM(1048576字 ×1位高速CMOS SRAM) |
| 中文描述： | 1048576字× 1位高速CMOS靜態(tài)RAM（1048576字× 1位高速CMOS SRAM的） |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | HM621100A |
HM621100A Series
9
Write Timing Waveform (2)
(
CS
Controlled)
Address
CS
WE
Dout
Din
t
WC
t
AW
t
AS
t
CW
t
WR
t
WP
t
DW
t
DH
Valid Data
High-Z
*1
Note: 1. If the
CS
low transition occurs simultaneously with the
WE
low
transition or after the
WE
transition, the output buffers remain in a high
impedance state.
Low V
Data Retention Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C)
This characteristics is guaranteed only for L-version.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test
Conditions
V
CC
for data retention
V
DR
2.0
—
—
V
CS
≥
V
CC
–0.2 V,
Vin
≥
V
–0.2 V or
0 V
≤
Vin
≤
0.2 V
Data retention current
I
CCDR
—
2
50
*1
μ
A
Chip deselect to data retention time
t
CDR
0
—
—
ns
Operation recovery time
Note:
1. V
CC
= 3.0 V
t
R
5
—
—
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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