參數(shù)資料
型號(hào)： HM621100A
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 1048576-word ×1-bit High Speed CMOS Static RAM(1048576字 ×1位高速CMOS SRAM)
中文描述： 1048576字× 1位高速CMOS靜態(tài)RAM（1048576字× 1位高速CMOS SRAM的）
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
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代理商： HM621100A
HM621100A Series
4
Function Table
CS
WE
Mode
V
CC
Current
I
SB
, I
SB1
Output Pin
Ref.
Cycle
H
X
Not selected
High-Z
—
L
H
Read
I
CC
Dout
Read cycle
L
Note:
L
Write
I
CC
High-Z
Write cycle
X : H or L
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Voltage on any pin relative to V
SS
Vin
–0.5
*1
to +7.0
V
Power dissipation
P
T
1.0
W
Operating temperature range
Topr
0 to +70
°
C
Storage temperature range
Tstg
–55 to +125
°
C
Storage temperature range under bias
Note:
1. Vin min = –2.0 V for pulse width
≤
10 ns.
Tbias
–10 to +85
°
C
Recommended DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Supply voltage
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
V
SS
0
0
0
V
Input high (logic 1) voltage
V
IH
2.2
—
6.0
V
Input low (logic 0) voltage
Note:
1. V
IL
min = –2.0 V for pulse width
≤
10 ns.
V
IL
–0.5
*1
—
0.8
V
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