參數(shù)資料
型號： HM5251165B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 47/64頁
文件大?。?/td> 1030K
代理商： HM5251165B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
47
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
(HM5251805B)
HM5251805B
-75
-A6
-B6
Parameter
Symbol
Min
Max Min
Max Min
Max Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
I
CC2P
—
220
—
190
—
150
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
—
220
—
190
—
190
mA
Standby current in power
down
—
6
—
6
—
6
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
6
Standby current in power
down (input signal stable)
I
CC2PS
—
4
—
4
—
4
mA
7
Standby current in non
power down
I
CC2N
—
40
—
40
—
40
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
4
Standby current in non
power down (input signal
stable)
I
CC2NS
—
18
—
18
—
18
mA
9
Active standby current in
power down
I
CC3P
—
8
—
8
—
8
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
1, 2, 6
Active standby current in
power down (input signal
stable)
I
CC3PS
—
6
—
6
—
6
mA
2, 7
Active standby current in
non power down
I
CC3N
—
60
—
60
—
60
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
∞
1, 2, 4
Active standby current in
non power down (input
signal stable)
I
CC3NS
—
30
—
30
—
30
mA
2, 9
Burst operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
190
—
190
—
140
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
—
260
—
190
—
190
mA
Refresh current
—
TBD —
TBD —
TBD mA
t
RC
= min
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
3
Self refresh current
—
6
—
6
—
6
mA
8
Self refresh current
(L-version)
I
CC6
—
TBD —
TBD —
TBD mA
Input leakage current
I
LI
I
LO
–1
1
–1
1
–1
1
μA
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
Output leakage current
–1.5 1.5
–1.5 1.5
–1.5 1.5
μA
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
2.4
—
2.4
—
V
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
Output low voltage
—
0.4
—
0.4
—
0.4
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5257405BTD-75 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257165B 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257165B-75 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257165B-A6 CABLE ASSEMBLY
HM5257165BTD-75 512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM5251165B/1805B/1405B-75/A6/B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:512M LVTTL Interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mwo
HM5257165B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257165B-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257165B-A6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5257165BTD-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 8-Mword 】 16-bit 】 4-bank/16-Mword 】 8-bit 】 4-bank /32-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*