參數(shù)資料
型號(hào)： HM5251165B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 33/64頁(yè)
文件大小： 1030K
代理商： HM5251165B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
33
Write with auto precharge to Read command interval
1.
Different bank:
When some banks are in the active state, the second read command (another bank) is
executed. However,in case of a burst write, data will continue to be written until one clock before the read
command is executed. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second
command.
Write with Auto Precharge to Read Command Interval
(Different bank)
CLK
Command
BS
Dout
Din
WRIT A
READ
out B0
out B1
out B2
out B3
CAS
Latency = 3
Burst Length = 4
bank0
Write A
bank3
Read
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQM,
DQMU/DQML
in A0
2. Same bank:
The consecutive read command from write with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述
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HM5257165B-A6 CABLE ASSEMBLY
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