參數(shù)資料
型號： HM5251165B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
中文描述： 512兆位的SDRAM（512M位同步內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 25/64頁
文件大小： 1030K
代理商： HM5251165B
HM5251165B/HM5251805B/HM5251405B-75/A6/B6
25
Auto Precharge
Read with auto-precharge:
In this operation, since precharge is automatically performed after completing a
read operation, a precharge command need not be executed after each read operation. The command executed
for the same bank after the execution of this command must be the bank active (ACTV) command. In
addition, an interval defined by l
APR
is required before execution of the next command.
CAS
latency
Precharge start cycle
3
2 cycle before the final data is output
2
1 cycle before the final data is output
Burst Read
(Burst Length = 4)
CLK
lAPR
lRAS
lAPR
CL=2 Command
CL=3 Command
DQ (input)
DQ (input)
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
And an interval of t
RAS
(l
RAS
) is required between previous active (ACTV) command and internal precharge " ".
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
lRAS
ACTV
READ A
ACTV
out3
out2
out1
out0
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PDF描述
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HM5257165B-A6 CABLE ASSEMBLY
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