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參數(shù)資料
| 型號： | HM5225805BTT-B6 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 50/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 462K |
| 代理商： | HM5225805BTT-B6 |
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
50
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
HM5225165B/
HM5225805B/
HM5225405B
-75
-A6
-B6
Parameter
Symbol
PC/100
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
10
—
10
—
15
—
ns
1
Tclk
7.5
—
10
—
10
—
ns
CLK high pulse width
Tch
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
CLK low pulse width
Tcl
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
Access time from CLK
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
Tac
—
6
—
6
—
8
ns
1, 2
Tac
—
5.4
—
6
—
6
ns
Data-out hold time
Toh
2.7
—
3
—
3
—
ns
1, 2
CLK to Data-out low
impedance
2
—
2
—
2
—
ns
1, 2, 3
CLK to Data-out high
impedance
(
CAS
latency = 2, 3)
t
HZ
—
5.4
—
6
—
6
ns
1, 4
Input setup time
t
AS
, t
CS
, t
DS
,
t
CES
t
CESP
Tsi
1.5
—
2
—
2
—
ns
1, 5, 6
CKE setup time for power
down exit
Tpde
1.5
—
2
—
2
—
ns
1
Input hold time
t
AH
, t
CH
, t
DH
,
t
CEH
t
RC
Thi
0.8
—
1
—
1
—
ns
1, 6
Ref/Active to Ref/Active
command period
Trc
67.5
—
70
—
70
—
ns
1
Active to Precharge
command period
t
RAS
Tras
45
120000 50
120000 50
120000 ns
1
Active command to column
command (same bank)
t
RCD
Trcd
20
—
20
—
20
—
ns
1
Precharge to active
command period
t
RP
Trp
20
—
20
—
20
—
ns
1
Write recovery or data-in to
precharge lead time
t
DPL
Tdpl
15
—
20
—
20
—
ns
1
Active (a) to Active (b)
command period
t
RRD
Trrd
15
—
20
—
20
—
ns
1
Transition time (rise and fall) t
T
Refresh period
1
5
1
5
1
5
ns
t
REF
—
64
—
64
—
64
ms
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HM5241605CJ-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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