參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225805BTT-B6
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 34/63頁
文件大?。?/td> 462K
代理商： HM5225805BTT-B6
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
34
Read command to Precharge command interval (same bank):
When the precharge command is executed for the same bank as the read command that preceded it, the
minimum interval between the two commands is one clock. However, since the output buffer then becomes
High-Z after the clocks defined by l
HZP
, there is a case of interruption to burst read data output will be
interrupted, if the precharge command is input during burst read. To read all data by burst read, the clocks
defined by l
EP
must be assured as an interval from the final data output to precharge command execution.
READ to PRECHARGE Command Interval (same bank): To output all data
CAS
Latency = 2, Burst Length = 4
CLK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
out A0
out A1
out A2
out A3
CL=2
l = -1 cycle
CAS
Latency = 3, Burst Length = 4
CLK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
out A0
out A1
out A2
out A3
CL=3
l = -2 cycle
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PDF描述
HM5225805BLTT-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225405BTT-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225405BLTT-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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