參數(shù)資料
型號： HM5225805BTT-A6
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 3/63頁
文件大?。?/td> 462K
代理商： HM5225805BTT-A6
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
3
Pin Arrangement
(HM5225165B)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ15
V
SS
Q
DQ14
DQ13
V
CC
Q
DQ12
DQ11
V
SS
Q
DQ10
DQ9
V
CC
Q
DQ8
V
SS
NC
DQMU
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
V
CC
Q
DQ1
DQ2
V
SS
Q
DQ3
DQ4
V
CC
Q
DQ5
DQ6
V
SS
Q
DQ7
V
CC
DQML
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
54-pin TSOP
(Top view)
Pin Description
Pin name
Function
Pin name
WE
Function
A0 to A12,
BA0, BA1
Address input
Write enable
Row address
A0 to A12
DQMU/DQML
Input/output mask
Column address
A0 to A8
CLK
Clock input
Bank select address
BA0/BA1 (BS)
CKE
Clock enable
DQ0 to DQ15
CS
RAS
CAS
Data-input/output
V
CC
V
SS
V
CC
Q
V
SS
Q
NC
Power for internal circuit
Chip select
Ground for internal circuit
Row address strobe command
Power for DQ circuit
Column address strobe command
Ground for DQ circuit
No connection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5225405BTT-A6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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HM5225645F-B60 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM
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HM5225645F 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM)
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