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參數(shù)資料
| 型號： | HM5225805BTT-A6 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 22/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 462K |
| 代理商： | HM5225805BTT-A6 |
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
22
Operation of the SDRAM
The following chapter shows operation example of the products below.
Organization
Input/output mask
CAS
latency
4-Mword
×
16-bit
×
4 bank
8-Mword
×
8-bit
×
4 bank
16-Mword
×
4-bit
×
4 bank
DQMU/DQML
2/3
DQM
DQM
Note:
and “AC Characteristics”).
The SDRAM should be used according to the product capability (See “Features”, “Pin Description”
Read/Write Operations
Bank active:
Before executing a read or write operation, the corresponding bank and the row address must be
activated by the bank active (ACTV) command. An interval of t
RCD
is required between the bank active
command input and the following read/write command input.
Read operation:
A read operation starts when a read command is input. Output buffer becomes Low-Z in
the (
CAS
Latency - 1) cycle after read command set. The SDRAM can perform a burst read operation.
The burst length can be set to 1, 2, 4, 8. The start address for a burst read is specified by the column address
and the bank select address (BA0/BA1) at the read command set cycle. In a read operation, data output starts
after the number of clocks specified by the
CAS
Latency. The
CAS
Latency can be set to 2 or 3.
When the burst length is 1, 2, 4, 8, the Dout buffer automatically becomes High-Z at the next clock after the
successive burst-length data has been output.
The
CAS
latency and burst length must be specified at the mode register.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5225405BTT-A6 | 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM5225325F-B60 | 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
| HM5225645F-B60 | 256M LVTTL interface SDRAM 100 MHz 1-Mword x 64-bit x 4-bank/2-Mword x 32-bit x 4-bank PC/100 SDRAM |
| HM5225325F | 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM) |
| HM5225645F | 256-Mbit SDRAM(256M位同步RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5225805BTT-B6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM |
| HM-523841-1.5-8A | 功能描述:電線鑒定 HM 2.06/3.31" LABEL PRICE PER LABEL RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 產(chǎn)品:Labels and Signs 類型: 材料:Vinyl 顏色:Blue 寬度:0.625 in 長度:1 in |
| HM5241605 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 131 072-Word x 16-Bit x 2-Bank Synchronous Dynamic RAM |
| HM5241605C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 4M LVTTL Interface SDRAM (128-kword x 16-bit) 83 MHz/80MHz/66 |
| HM5241605CJ-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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