參數(shù)資料
型號(hào): HM5225805BLTT-75
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述: 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù): 60/63頁(yè)
文件大?。?/td> 462K
代理商: HM5225805BLTT-75
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
60
Clock Suspend Mode
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
a
a+1 a+2
a+3
b
b+1 b+2
R:a
C:a R:b
C:b
a
a+1 a+2
b
b+1 b+2 b+3
C:b
Bank0
Active clock
Active clock
Bank0
Bank3
Reastart
Read suspend
Bank0
Bank3
Earliest Bank3
Bank0
Bank0
Active clock
Active clock
Bank3
Writstart
Write suspend
Bank3
Bank0
Earliest Bank3
b+3
CKE
RAS
CS
CAS
WE
Address
DQM,
DQMU/DQML
DQ (output)
DQ (input)
CLK
BS
CKE
RAS
CS
CAS
WE
BS
Address
DQMU/DQM,
DQ (output)
DQ (input)
a+3
High-Z
High-Z
t
CES
t
CEH
t
CES
Read cycle
RAS
-
CAS
delay = 2
CAS
latency = 2
Burst length = 4
= V or V
IL
Write cycle
RAS
-
CAS
delay = 2
CAS
latency = 2
Burst length = 4
= V or V
IL
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PDF描述
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