參數(shù)資料
型號: HM5225805BLTT-75
廠商: ELPIDA MEMORY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述: 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù): 46/63頁
文件大?。?/td> 462K
代理商: HM5225805BLTT-75
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
46
DC Characteristics
(Ta = 0 to +70
C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V ± 0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
(HM5225165B)
HM5225165B
-75
-A6
-B6
Parameter
Symbol
Min
Max Min
Max Min
Max Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
I
CC2P
115
100
80
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
115
100
100
mA
Standby current in power
down
3
3
3
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
6
Standby current in power
down (input signal stable)
I
CC2PS
2
2
2
mA
7
Standby current in non
power down
I
CC2N
20
20
20
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
4
Standby current in non
power down (input signal
stable)
I
CC2NS
9
9
9
mA
9
Active standby current in
power down
I
CC3P
4
4
4
mA
CKE = V
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
=
1, 2, 6
Active standby current in
power down (input signal
stable)
I
CC3PS
3
3
3
mA
2, 7
Active standby current in
non power down
I
CC3N
30
30
30
mA
CKE,
CS
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IH
, t
CK
=
1, 2, 4
Active standby current in
non power down (input
signal stable)
I
CC3NS
15
15
15
mA
2, 9
Burst operating current
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
110
110
85
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
145
110
110
mA
Refresh current
220
220
220
mA
t
RC
= min
V
IH
V
0.2 V
V
IL
0.2 V
3
Self refresh current
3
3
3
mA
8
Self refresh current
(L-version)
I
CC6
2
2
2
mA
Input leakage current
I
LI
I
LO
1
1
1
1
1
1
μA
0
Vin
V
CC
0
Vout
V
CC
DQ = disable
Output leakage current
1.5 1.5
1.5 1.5
1.5 1.5
μA
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
2.4
2.4
V
I
OH
=
4 mA
I
OL
= 4 mA
Output low voltage
0.4
0.4
0.4
V
相關PDF資料
PDF描述
HM5225165B 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225165B-75 Ultra-High-Precision SOT23 Series Voltage Reference
HM5225165B-A6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225165B-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225165BLTT-75 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HM5225805BLTT-A6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225805BLTT-B6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225805BTT-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225805BTT-A6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225805BTT-B6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM