參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM)
中文描述： 256M LVTTL接口的SDRAM（256M LVTTL接口同步的DRAM）
文件頁(yè)數(shù)： 50/64頁(yè)
文件大?。?/td> 802K
代理商： HM5225805B
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
50
AC Characteristics
(Ta = 0 to +70
°
C, V
CC
, V
CC
Q = 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
, V
SS
Q = 0 V)
HM5225165B/
HM5225805B/
HM5225405B
-75
-A6
-B6
Parameter
HITACHI
Symbol
PC/100
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
10
—
10
—
15
—
ns
1
Tclk
7.5
—
10
—
10
—
ns
CLK high pulse width
Tch
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
CLK low pulse width
Tcl
2.5
—
3
—
3
—
ns
1
Access time from CLK
(
CAS
latency = 2)
(
CAS
latency = 3)
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
Tac
—
6
—
6
—
8
ns
1, 2
Tac
—
5.4
—
6
—
6
ns
Data-out hold time
Toh
2.7
—
3
—
3
—
ns
1, 2
CLK to Data-out low
impedance
2
—
2
—
2
—
ns
1, 2, 3
CLK to Data-out high
impedance
(
CAS
latency = 2, 3)
t
HZ
—
5.4
—
6
—
6
ns
1, 4
Input setup time
t
AS
, t
CS
, t
DS
,
t
CES
t
CESP
Tsi
1.5
—
2
—
2
—
ns
1, 5, 6
CKE setup time for power
down exit
Tpde
1.5
—
2
—
2
—
ns
1
Input hold time
t
AH
, t
CH
, t
DH
,
t
CEH
t
RC
Thi
0.8
—
1
—
1
—
ns
1, 6
Ref/Active to Ref/Active
command period
Trc
67.5
—
70
—
70
—
ns
1
Active to Precharge
command period
t
RAS
Tras
45
120000 50
120000 50
120000 ns
1
Active command to column
command (same bank)
t
RCD
Trcd
20
—
20
—
20
—
ns
1
Precharge to active
command period
t
RP
Trp
20
—
20
—
20
—
ns
1
Write recovery or data-in to
precharge lead time
t
DPL
Tdpl
15
—
20
—
20
—
ns
1
Active (a) to Active (b)
command period
t
RRD
Trrd
15
—
20
—
20
—
ns
1
Transition time (rise and fall) t
T
Refresh period
1
5
1
5
1
5
ns
t
REF
—
64
—
64
—
64
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5225165B 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM)
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HM5251165B 512-Mbit SDRAM(512M位同步RAM)
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