參數(shù)資料
型號： HM5225805B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM(256M LVTTL接口同步DRAM)
中文描述： 256M LVTTL接口的SDRAM（256M LVTTL接口同步的DRAM）
文件頁數(shù)： 39/64頁
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代理商： HM5225805B
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
39
DQM Control
The DQM mask the DQ data. The DQMU and DQML mask the upper and lower bytes of the DQ data,
respectively. The timing of DQMU/DQML is different during reading and writing.
Reading:
When data is read, the output buffer can be controlled by DQM, DQMU/DQML. By setting
DQM, DQMU/DQML to Low, the output buffer becomes Low-Z, enabling data output. By setting DQM,
DQMU/DQML to High, the output buffer becomes High-Z, and the corresponding data is not output.
However, internal reading operations continue. The latency of DQM, DQMU/DQML during reading is 2
clocks.
Writing:
Input data can be masked by DQM, DQMU/DQML. By setting DQM, DQMU/DQML to Low,
data can be written. In addition, when DQM, DQMU/DQML is set to High, the corresponding data is not
written, and the previous data is held. The latency of DQM, DQMU/DQML during writing is 0 clock.
Reading
CLK
DQ (output)
out 0
out 1
l = 2 Latency
out 3
DQM,
DQMU/DQML
High-Z
Writing
CLK
DQ (input)
in 0
in 1
l = 0 Latency
in 3
DQM,
DQMU/DQML
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PDF描述
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