參數(shù)資料
型號(hào)： HGTD1N120BNS
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
中文描述： 5.3 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： HGTD1N120BNS
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
(Unless Otherwise Specified)
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
50
C
100
150
250
300
200
350
C
IES
C
OES
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
4
0
2
0
4
10
2
6
6
8
1
3
5
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
0.005
0.01
1.0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
10
-5
2.0
0.1
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.1
0.01
0.02
0.5
0.05
0.2
R
G
= 82
L = 4mH
V
DD
= 960V
+
-
RHRD4120
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
I
CE
HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTD1N120BNS9A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA
HGTG15N120C3D 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG15N120C3 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTP15N120C3 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGT1S15N120C3 35A, 1200V, UFS Series N-Channel IGBTs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HGTD1N120CNS 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD1N120CNS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA
HGTD2N120BNS 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120BNS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA
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