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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2029R |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET(N溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道功率場效應(yīng)晶體管（不適用溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | HAT2029R |
HAT2029R
3
Main Characteristics
C
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
10 V 6 V
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
Note 5 :
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50
100
150
200
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
10 μs
100 μs
1ms
PW=10ms
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
3 V
3.5 V
V = 1.5 V
4 V
5 V
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
Tc = –25 °C
75 °C
25 °C
2DieOeain
1DiveOpeaion
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Pulse Test
V = 10 V
Pulse Test
Test Condition :
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm), PW < 10 s
Noe5
DCOpeaion(PW<10s
Ta = 25 °C
1 shot Pulse
1 Drive Operation
2.5 V
2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2029 | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2031T | Silicon N Channel Power MOS FET(N溝道功率MOSFET) |
| HAT2033R | Silicon N Channel Power MOS FET(N溝道功率MOSFET) |
| HAT2033RJ | Silicon N Channel Power MOS FET(N溝道功率MOSFET) |
| HAT2033 | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HAT2029R-EL-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 28V 7.5A 8-Pin SOP T/R 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 28V 7.5A 8-Pin SOP T/R |
| HAT2031T | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2033 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2033R | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| HAT2033R/HAT2033RJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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