參數(shù)資料
型號(hào)： GS88218AB-133
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝： PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 35/38頁
文件大小： 1065K
代理商： GS88218AB-133
GS88218/36AB/D-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 11/2004
6/38
2001, GSI Technology
GS88218/36 BGA Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
An
I
Address Inputs
DQA
DQB
DQC
DQD
I/O
Data Input and Output pins
BA, BB, BC, BD
I
Byte Write Enable for DQA, DQB, DQC, DQD I/Os; active low
NC
—
No Connect
NC
—
No Connect
CK
I
Clock Input Signal; active high
BW
I
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E1
I
Chip Enable; active low
E3
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active l0w
ADSC, ADSP
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
PE
I
9th Bit Enable; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
—
Must Connect Low
SCD
—
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS88218AB-133I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88218AB-150 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88218AB-150I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88218AB-166 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88218AB-166I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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