參數(shù)資料
型號： GS881E18
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述： 為512k × 18，256K × 36 9Mb以上同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 32/37頁
文件大?。?/td> 662K
代理商： GS881E18
Revision: 2/3/05
GS881E18/32/36AD
Supplemental Datasheet Information
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View (Package D)
123456789
10
11
ANC
AE1
BC
BB
E3
BW
ADSC
ADV
ANC
A
BNC
AE2
BD
BA
CK
GW
G
ADSP
ANC
B
C
DQC
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQB
C
D
DQC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQB
D
E
DQC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQB
E
F
DQC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQB
F
G
DQC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQB
G
HFT
MCL
NC
VDD
VSS
VDD
NC
ZZ
H
J
DQD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQA
J
K
DQD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQA
K
L
DQD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQA
L
M
DQD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
DQA
M
N
DQD
NC
VDDQ
VSS
NC
VSS
VDDQ
NC
DQA
N
PNC
NC
A
ATDI
A1
TDO
A
AP
RLBO
NC
A
ATMS
A0
TCK
A
AR
11 x 15 Bump BGA—13mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關PDF資料
PDF描述
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GS881Z32CGD-150VT 256K X 32 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165
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