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參數(shù)資料

型號：	GS881E18
廠商：	GSI TECHNOLOGY
英文描述：	512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
中文描述：	為512k × 18，256K × 36 9Mb以上同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)：	17/37頁
文件大?。?/td>	662K
代理商：	GS881E18

GS881E18/36AT-250/225/200/166/150/133

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

Rev: 1.03 11/2004

16/29

2001, GSI Technology

Notes:

1. These parameters are sampled and are not 100% tested

2. ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold

times as specified above.

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

-250

-225

-200

-166

-150

-133

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max Min Max Min Max

Pipeline

Clock Cycle Time

tKC

4.0

—

4.4

—

5.0

—

6.0

—

6.7

—

7.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

2.5

—

2.7

—

3.0

—

3.4

—

3.8

—

4.0

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ1

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Setup time

tS

1.2

—

1.3

—

1.4

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.2

—

0.3

—

0.4

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Flow

Through

Clock Cycle Time

tKC

5.5

—

6.0

—

6.5

—

7.0

—

7.5

—

8.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

5.5

—

6.0

—

6.5

—

7.0

—

7.5

—

8.5

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ1

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

ns

Setup time

tS

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.5

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Clock HIGH Time

tKH

1.3

—

1.3

—

1.3

—

1.3

—

1.5

—

1.7

—

ns

Clock LOW Time

tKL

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.7

—

2

—

ns

Clock to Output in

High-Z

tHZ1

1.5

2.3

1.5

2.5

1.5

3.0

1.5

3.0

1.5

3.0

1.5

3.0

ns

G to Output Valid

tOE

—

2.3

—

2.5

—

3.2

—

3.5

—

3.8

—

4.0

ns

G to output in Low-Z

tOLZ1

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

ns

G to output in High-Z

tOHZ1

—

2.3

—

2.5

—

3.0

—

3.0

—

3.0

—

3.0

ns

ZZ setup time

tZZS2

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

ns

ZZ hold time

tZZH2

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

ns

ZZ recovery

tZZR

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

ns

相關(guān)PDF資料	PDF描述
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GS881Z36BGT-250IT	256K X 36 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
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GS881E18AD-133IT	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
GS881E18AD-133T	制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs
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