- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383052 > GS880E32 (GSI TECHNOLOGY) 8Mb（256K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS880E32 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 8Mb（256K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 8MB的（256 × 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（800萬(wàn)位（256K × 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 16/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 850K |
| 代理商： | GS880E32 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)當(dāng)前第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)
Rev: 1.11 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
16/25
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS880E18/32/36T-11/11.5/100/80/66
Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2c& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–A
n
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Hi-Z
E
1
E
3
tS tH
tS tH
tS tH
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
E
2
Deselected with E
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS880F18 | 8Mb（512K x 18Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（512K x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS880F36 | 8Mb（256K x 36Bit) Synchronous Burst SRAM(8M位（256K x 36位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| GS880Z18 | 8Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(8M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS880Z36 | 8Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(8M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS880Z36AT-133I | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS880E32AT-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E32AT-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E32AT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E32AT-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
| GS880E32AT-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。