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參數(shù)資料
| 型號： | GS840H18AT-100T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 10/31頁 |
| 文件大小： | 1176K |
| 代理商： | GS840H18AT-100T |
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Capacitance
oC, f = 1 MHZ, VDD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
4
5
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
6
7
pF
GS840H18/32/36AT/B-180/166/150/100
Rev: 1.12 4/2007
18/31
1999, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Note:
These parameters are sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
(TA = 25
= 2.5 V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS84118AB-166IT | 256K X 18 CACHE TAG SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| GS84118AT-133IT | 256K X 18 CACHE TAG SRAM, 11 ns, PQFP100 |
| GS8550CU | 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| GS8640FZ18T-8IVT | 4M X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PQFP100 |
| GS8642Z36GF-167T | 2M X 36 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA165 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS840H18AT-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840H18AT-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840H18AT-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840H18AT-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS840H18AT-180 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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