參數(shù)資料
型號： GS84018AB-190
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 256K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119
封裝： FPBGA-119
文件頁數(shù)： 31/31頁
文件大?。?/td> 1248K
代理商： GS84018AB-190
GS84018/32/36AT/B-190/180/166/150/100
Rev: 1.18 3/2007
9/31
1999, GSI Technology
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
BGA Pin Description
Symbol
Type
Description
A0, A1
I
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
A
I
Address Inputs
BA
In
Byte Write signal for data inputs DQA; active low
BB
In
Byte Write signal for data inputs DQB; active low
BC
In
Byte Write signal for data inputs DQC; active low
BD
In
Byte Write signal for data inputs DQD; active low
CK
I
Clock Input Signal; active high
BW
I
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E1, E3
I
Chip Enable; active low
E2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
DQA
I/O
Byte A Data Input and Output pins
DQB
I/O
Byte B Data Input and Output pins
DQ
I/O
Byte C Data Input and Output pins
DQD
I/O
Byte D Data Input and Output pins
DQPA
I/O
9th Data I/O Pin; Byte A
DQPB
I/O
9th Data I/O Pin; Byte B
DQPC
I/O
9th Data I/O Pin; Byte C
DQPD
I/O
9th Data I/O Pin; Byte D
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
VDD
I
Core power supply
VSS
I
I/O and Core Ground
VDDQ
I
Output driver power supply
NC
-
No Connect
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS840H18AT-100T 256K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100
GS84118AB-166IT 256K X 18 CACHE TAG SRAM, 8.5 ns, PBGA119
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS84018AGB-150I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 10NS/3.8NS 119FBGA - Trays
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