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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321EV18GE-133T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 8/33頁 |
| 文件大小： | 1013K |
| 代理商： | GS8321EV18GE-133T |
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Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-225
-200
-166
-150
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
(x32/
x36)
Pipeline
IDD
IDDQ
280
50
290
50
245
45
255
45
215
40
225
40
200
35
210
35
190
30
200
30
170
25
Flow
Through
IDD
IDDQ
210
25
220
25
200
25
210
25
190
20
200
20
180
20
190
20
170
20
180
20
160
15
(x18)
Pipeline
IDD
IDDQ
260
25
270
25
225
25
235
25
195
20
205
20
180
20
190
20
170
20
180
20
150
15
Flow
Through
IDD
IDDQ
190
15
200
15
180
15
190
15
170
15
180
15
160
15
170
15
150
15
160
15
140
15
Standby
Current
ZZ
≥ VDD – 0.2 V —
Pipeline
ISB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
40
Flow
Through
ISB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
40
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
—
Pipeline
IDD
75
80
75
80
70
75
70
75
65
70
60
Flow
Through
IDD
65
70
65
70
60
65
60
65
55
60
50
GS8321EV18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
16/33
2003, GSI Technology
Notes:
1. IDD and IDDQ apply to any combination of VDD3, VDD2, VDDQ3, and VDDQ2 operation.
2. All parameters listed are worst case scenario.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321ZV36E-150T | 1M X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| GS832236AB-300T | 1M X 36 CACHE SRAM, PBGA119 |
| GS832472GC-150I | 512K X 72 CACHE SRAM, 10 ns, PBGA209 |
| GS832472GC-250T | 512K X 72 CACHE SRAM, 6 ns, PBGA209 |
| GS8342D08E-333T | 4M X 8 STANDARD SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321EV18GE-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321EV18GE-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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