參數(shù)資料
型號： GS820H32
廠商： GSI TECHNOLOGY
英文描述： 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計數(shù)器）)
中文描述： 2MB的（64K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（200萬位（64K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲器（帶2位脈沖地址計數(shù)器））
文件頁數(shù)： 20/23頁
文件大?。?/td> 342K
代理商： GS820H32
Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
20/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS820H32T/Q-150/138/133/117/100/66
H
-140.0
-120.0
-100.0
-80.0
-60.0
-40.0
-20.0
0.0
20.0
40.0
60.0
80.0
100.0
120.0
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V Out (Pull Down)
VDDQ - V Out (Pull Up)
I
3.6V PD HD
3.3V PD HD
3.1V PD HD
3.1V PU HD
3.3V PU HD
3.6V PU HD
Pull Up Drivers
Pull Down Drivers
V D D Q
V Out
I Out
V S S
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PDF描述
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GS832032GT-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832032GT-133I Film Capacitor; Voltage Rating:400VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:7.5mm; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Series:184 RoHS Compliant: Yes
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