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參數(shù)資料
| 型號： | GS81302TT07GE-333I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 16M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 20/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 1198K |
| 代理商： | GS81302TT07GE-333I |
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Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as shown unless otherwise noted.
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDD/2
TDO
VDD/2
50
Ω
30pF*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
GS81302TT07/10/19/37E-450/400/350/333/300
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
27/31
2011, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS815018AB-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
| GS815018AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 1.6NS 119FPBGA - Trays |
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