參數(shù)資料
型號(hào)： GA200HS60S
英文描述： 600V DC-1 kHz (Standard) Half-Bridge IGBT in a INT-A-Pak package
中文描述： 600V的直流1千赫的廉政（標(biāo)準(zhǔn)）半橋IGBT的- à - Pak封裝
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： GA200HS60S
Bulletin I27121 rev. B 07/02
5
GA200HS60S
www.irf.com
Outline Table
Dimensions in millimeters
Electrical Diagram
Functional Diagram
Note: terminals 9 and 11 are not internally connected
terminals 8 and 10 are not assembled in the package
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PDF描述
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GA200HS60S1 功能描述:IGBT 模塊 200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
GA200HS60S1PBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 480A 600V INT-A-PAK
GA200NS61U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High Side Switch Chopper Module Ultra-Fast Speed IGBT
GA200SA60S 功能描述:IGBT STD 600V 100A SOT227 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
GA200SA60SP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:GA200SA60SP Series 600 V 200 A Insulated Gate Bipolar Transistor - SOT-227 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 342A SOT227
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