參數(shù)資料
型號： GA200HS60S
英文描述： 600V DC-1 kHz (Standard) Half-Bridge IGBT in a INT-A-Pak package
中文描述： 600V的直流1千赫的廉政（標準）半橋IGBT的- à - Pak封裝
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代理商： GA200HS60S
1
GA200HS60S
Bulletin I27121 rev. B 07/02
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.19V @
V
GE
= 15V, I
C
= 200A
T
J
= 25°C
"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAK
Standard Speed IGBT
Absolute Maximum Ratings
V
CES
Collector-to-Emitter Voltage
600
V
I
C
Continuos Collector Current
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 110°C
470
A
200
I
CM
I
LM
V
GE
V
ISOL
Pulsed Collector Current
Peak Switching Current
Gate-to-Emitter Voltage
RMS Isolation Voltage, Any Terminal to Case, t = 1 min
800
800
± 20
2500
V
P
D
Maximum Power Dissipation
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 85°C
830
W
430
Parameters
Max
Units
Generation 4 IGBT Technology
Standard speed: optimized for hard switching
operating frequencies up to 1000 Hz
Very Low Conduction Losses
Industry standard package
Features
Increased operating efficiency
Direct mounting to heatsink
Performance optimized as output nverter stage
for TIG welding machines
Benefits
INT-A-PAK
www.irf.com
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PDF描述
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參數(shù)描述
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GA200HS60S1PBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 480A 600V INT-A-PAK
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GA200SA60S 功能描述:IGBT STD 600V 100A SOT227 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
GA200SA60SP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:GA200SA60SP Series 600 V 200 A Insulated Gate Bipolar Transistor - SOT-227 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 342A SOT227
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