參數(shù)資料
型號(hào)： FSB50825US
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 電源模塊
英文描述： DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 297K
代理商： FSB50825US
2
www.fairchildsemi.com
FSB50825US Rev. A
FSB50825US
Smart
Powe
rMod
u
le
(SPM)
Pin Descriptions
Note:
Source terminal of each low-side MOSFET is not connected to supply ground or bias voltage ground inside SPM. External connections should be made as indicated in Fig-
ure 2 and 5.
Figure 1. Pin Configuration and Internal Block Diagram (Bottom View)
Pin Number
Pin Name
Pin Description
1
COM
IC Common Supply Ground
2
VB(U)
Bias Voltage for U Phase High Side FRFET Driving
3
VCC(U)
Bias Voltage for U Phase IC and Low Side FRFET Driving
4
IN(UH)
Signal Input for U Phase High-side
5
IN(UL)
Signal Input for U Phase Low-side
6
VS(U)
Bias Voltage Ground for U Phase High Side FRFET Driving
7
VB(V)
Bias Voltage for V Phase High Side FRFET Driving
8
VCC(V)
Bias Voltage for V Phase IC and Low Side FRFET Driving
9
IN(VH)
Signal Input for V Phase High-side
10
IN(VL)
Signal Input for V Phase Low-side
11
VS(V)
Bias Voltage Ground for V Phase High Side FRFET Driving
12
VB(W)
Bias Voltage for W Phase High Side FRFET Driving
13
VCC(W)
Bias Voltage for W Phase IC and Low Side FRFET Driving
14
IN(WH)
Signal Input for W Phase High-side
15
IN(WL)
Signal Input for W Phase Low-side
16
VS(W)
Bias Voltage Ground for W Phase High Side FRFET Driving
17
P
Positive DC–Link Input
18
U
Output for U Phase
19
NU
Negative DC–Link Input for U Phase
20
NV
Negative DC–Link Input for V Phase
21
V
Output for V Phase
22
NW
Negative DC–Link Input for W Phase
23
W
Output for W Phase
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
COM
VCC
LIN
HIN
VB
HO
VS
LO
(1) COM
(2) V
B(U)
(3) V
CC(U)
(4) IN
(UH)
(5) IN
(UL)
(6) V
S(U)
(7) V
B(V)
(8) V
CC(V)
(9) IN
(VH)
(10) IN
(VL)
(11) V
S(V)
(12) V
B(W)
(13) V
CC(W)
(14) IN
(WH)
(15) IN
(WL)
(16) V
S(W)
(17) P
(18) U
(19) N
U
(20) N
V
(21) V
(22) N
W
(23) W
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PDF描述
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FSB560 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Low Saturation Transistor
FSB560_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FSB560A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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