參數(shù)資料
型號： FQU6N40C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V N-Channel MOSFET
中文描述： 4.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 623K
代理商： FQU6N40C
Rev. A, October 2003
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD6N40 400V N-Channel MOSFET
FQU6N40 400V N-Channel MOSFET
FQD6N50C These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology
FQU6N50C These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary planar stripe, DMOS technology
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參數(shù)描述
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