參數(shù)資料
型號(hào)： FQU3N50C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 2.5 A, 500 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大小： 1043K
代理商： FQU3N50C
7
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C/FQU3N50C Rev. A
F
Mechanical Dimensions
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
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0
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9
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6
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0
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0
M
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±
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0.50
±
0.10
1.02
±
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2.30
±
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±
0.20
(5.34)
(5.04)
0.76
±
0.10
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(2XR0.25)
0
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0
(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
D-PAK
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
FQD3N60 600V N-Channel MOSFET
FQU3N60 600V N-Channel MOSFET
FQD3P20 200V P-Channel MOSFET
FQU3P20 200V P-Channel MOSFET
FQD3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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FQU3N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQU3N60CTU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU3N60TU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU3P20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET
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