參數(shù)資料
型號(hào)： FQU3N50C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 500V N-Channel MOSFET
中文描述： 2.5 A, 500 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 1043K
代理商： FQU3N50C
3
www.fairchildsemi.com
FQD3N50C/FQU3N50C Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
and Temperatue
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
°
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
Note
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
°
C
150
°
C
25
°
C
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
Note : T
J
= 25
°
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
150
°
C
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
°
C
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
C
iss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
Note ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 250V
V
DS
= 100V
V
DS
= 400V
Note : I
D
= 3A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQD3N60 600V N-Channel MOSFET
FQU3N60 600V N-Channel MOSFET
FQD3P20 200V P-Channel MOSFET
FQU3P20 200V P-Channel MOSFET
FQD3P50 500V P-Channel MOSFET(漏源電壓為-500V、漏電流為2.1A的P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
FQU3N50CTU 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv QFET C-series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU3N60 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET
FQU3N60CTU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU3N60TU 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQU3P20 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET
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