參數(shù)資料
型號(hào)： FQT5N20L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 1A條（?。﹟的SOT - 223
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 631K
代理商： FQT5N20L
F
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
S
controlled by pulse period
V
DD
L
I
S
Same Type
dv/dt controlled by R
G
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Body Diode
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQU13N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251
FQU13N10 100V N-Channel MOSFET
FQU26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251
FQY45N50F TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-247VAR
FR1000BW50 THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|2.5KV V(DRM)|TO-200AF
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQT5N20LTF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT5N20TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT5P10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQT5P10TF 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT5P10TF-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQT5P10 Series 100 V 1.05 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-223
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