參數(shù)資料
型號： FQT5N20L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 1A條（?。﹟的SOT - 223
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： FQT5N20L
Rev. A, May 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
V
in
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
Gate Charge Test Circuit & Waveform
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
-1
----
--------------------
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
V
DD
V
DS
10V
DUT
R
G
L
I
D
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FQU13N10 100V N-Channel MOSFET
FQU26N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | TO-251
FQY45N50F TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-247VAR
FR1000BW50 THYRISTOR|REVERSE-CONDUCTING|2.5KV V(DRM)|TO-200AF
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQT5N20LTF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT5N20TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT5P10 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQT5P10TF 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQT5P10TF-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQT5P10 Series 100 V 1.05 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOT-223
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