參數(shù)資料
型號： FQH35N40
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V N-Channel MOSFET
中文描述： 35 A, 400 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 699K
代理商： FQH35N40
3
www.fairchildsemi.com
FQH35N40 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
°
C
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
* Notes :
1. V
DS
= 50V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
°
C
150
°
C
25
°
C
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
20
40
60
I
D
, Drain Current [A]
80
100
120
140
160
180
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
* Note : T
J
= 25
°
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
]
D
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
-1
10
0
10
1
10
2
25
150
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
1500
3000
4500
6000
7500
9000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Notes ;
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 200V
V
DS
= 80V
V
DS
= 320V
* Note : I
D
= 35 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQH44N10 100V N-Channel MOSFET
FQH70N10 FQH70N10 100V N-Channel MOSFET
FQH90N10V2 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:19 x 36; Jacket Color:White; Approval Bodies:UL; Approval Categories:UL AWM Style 1180; Passes VW-1 Flame Test; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/5 Type EE RoHS Compliant: Yes
FQH90N15 N-Channel Power MOSFET
FQI10N20C 200V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQH44N10 功能描述:MOSFET N-CH/100V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH44N10_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET
FQH44N10_F133 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 100V 48A 3-Pin 3+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH70N10 功能描述:MOSFET N-CH/100V/70A 0.025OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH8N100C 功能描述:MOSFET 1000V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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