參數(shù)資料
型號(hào)： FQG4904
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V Dual N & P-Channel MOSFET
中文描述： 0.46 A, 400 V, 3 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大小： 1158K
代理商： FQG4904
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, April 2002
F
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -200V
V
DS
= -80V
V
DS
= -320V
※
Note : I
D
= -0.46 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
10
-1
10
0
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
,
-V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
GS
V
-10.0 V
-8.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
-4.5 V
Bottom : -4.0 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
A
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Note ;
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
-I
D
, Drain Current [A]
Typical Characteristics : P-Channel
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQH140N10 100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 100V N-Channel MOSFET
FQH70N10 FQH70N10 100V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQG4904TU 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH140N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH35N40 功能描述:MOSFET 400V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH44N10 功能描述:MOSFET N-CH/100V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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