參數(shù)資料
型號(hào)： FQG4904
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 400V Dual N & P-Channel MOSFET
中文描述： 0.46 A, 400 V, 3 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIP-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大小： 1158K
代理商： FQG4904
Rev. A1, April 2002
F
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0 V, I
D
= -250
μ
A
I
D
= 250
μ
A,
Referenced to 25°C
I
D
= -250
μ
A,
Referenced to 25°C
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V, T
A
= 125°C
V
DS
= -400 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -320 V, T
A
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
N-Ch
P-Ch
400
-400
--
--
--
--
V
V
BV
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
N-Ch
--
0.47
--
V/°C
P-Ch
--
-0.3
--
V/°C
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
N-Ch
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
100
-10
-100
100
-100
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
nA
nA
P-Ch
I
GSSF
I
GSSR
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
All
All
On Characteristics
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250
μ
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.23 A
V
GS
= -10 V, I
D
= -0.23 A
V
DS
= 40 V, I
D
= 0.23 A
V
DS
= -40 V, I
D
= -0.23 A
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
2.0
-2.0
--
--
--
--
--
--
4.0
-4.0
3.0
3.0
--
--
V
V
S
S
R
DS(on)
Static Drain-Source On-Resistance
2.0
2.2
0.8
1.1
g
FS
Forward Transconductance
Dynamic Characteristics
C
iss
Input Capacitance
N-Channel
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
P-Channel
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V,
f = 1.0 MHz
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
--
--
--
--
--
--
235
500
40
85
6.5
14
300
645
55
110
8.5
18.5
pF
pF
pF
pF
pF
pF
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
N-Channel
V
DD
= 200 V, I
D
= 0.46 A,
R
G
= 25
P-Channel
V
DD
= -200 V, I
D
= -0.46 A,
R
G
= 25
(Note 3,4)
N-Channel
V
DS
= 320 V, I
D
= 0.46 A,
V
GS
= 10 V
P-Channel
V
DS
= -320 V, I
D
= -0.46 A,
V
GS
= -10 V
(Note 3,4)
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
N-Ch
P-Ch
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
6.5
10
16
21
28
85
34
56
7.6
20
1.2
2.7
3.3
9.9
25
30
40
52
65
180
80
120
10
26
--
--
--
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
nC
t
r
Turn-On Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Turn-Off Fall Time
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-Source Charge
Q
gd
Gate-Drain Charge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQH140N10 100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 100V N-Channel MOSFET
FQH70N10 FQH70N10 100V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQG4904TU 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH140N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH35N40 功能描述:MOSFET 400V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH44N10 功能描述:MOSFET N-CH/100V/48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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