參數(shù)資料
型號： FQG4902
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V Dual N & P-Channel MOSFET
中文描述： 0.54 A, 250 V, 2 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIP-8
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 1112K
代理商： FQG4902
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, April 2002
F
0
3
6
9
12
15
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= -125V
V
DS
= -50V
V
DS
= -200V
※
Note : I
D
= -0.54 A
-
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
-1
10
0
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
-
D
,
-V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= -40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
-
D
-V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
GS
V
-10.0 V
-8.0 V
-6.0 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
※
Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
A
= 25
℃
-
D
,
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
V
GS
= -20V
V
GS
= -10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
-I
D
, Drain Current [A]
10
-1
10
0
10
1
0
200
400
600
800
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
-V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics : P-Channel
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
相關PDF資料
PDF描述
FQG4904 400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQH140N10 100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 100V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQG4902TU 功能描述:MOSFET 250V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQG4904 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4904TU 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH140N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*