參數(shù)資料
型號： FQG4902
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 250V Dual N & P-Channel MOSFET
中文描述： 0.54 A, 250 V, 2 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： DIP-8
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 1112K
代理商： FQG4902
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, April 2002
F
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 125V
V
DS
= 200V
V
DS
= 50V
※
Note : I
D
= 0.54 A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
-1
10
0
150
℃
※
Notes :
1. V
GS
= 0V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
℃
I
D
,
V
SD
, Source-Drain voltage [V]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
※
Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
-55
℃
150
℃
25
℃
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
GS
V
10.0 V
8.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
Bottom : 4.0 V
※
Notes :
μ
s Pulse Test
2. T
A
= 25
℃
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
100
200
300
400
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
※
Notes :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Typical Characteristics : N-Channel
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 2. Transfer Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
※
Note : T
J
= 25
℃
R
D
Ω
D
I
D
, Drain Current [A]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
Figure 1. On-Region Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
FQG4904 400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQH140N10 100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 400V N-Channel MOSFET
FQH44N10 100V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FQG4902TU 功能描述:MOSFET 250V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQG4904 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4904TU 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH140N10 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Q-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQH18N50V2 功能描述:MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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