參數(shù)資料
型號： FQE10N20LC
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 200V Logic N-Channel MOSFET
中文描述： 4 A, 200 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 895K
代理商： FQE10N20LC
Rev. A, March 2004
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQG4902 250V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4904 400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQH140N10 100V N-Channel MOSFET
FQH18N50V2 500V N-Channel MOSFET
FQH35N40 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQE10N20LCTU 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:QFET™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FQG4902 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4902TU 功能描述:MOSFET 250V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQG4904 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V Dual N & P-Channel MOSFET
FQG4904TU 功能描述:MOSFET 400V Dual N & P-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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