參數(shù)資料
型號(hào)： FQD45N03L
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET
中文描述： 20 A, 30 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 269K
代理商： FQD45N03L
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD45N03L Rev. B1
F
Typical Characteristic
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
5
10
15
20
25
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
10
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
500
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 5V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
C
125
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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FQU4N25 250V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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