型號: | FQD2N60C |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Flasher; Contacts:DPDT; Time Range:1m to 100m/6000 sec.; Mounting Type:Plug-In; Timing Function:Off-On Recycling; Contact Carrying Power:3VA; Supply Voltage:120VAC |
中文描述: | 1.9 A, 600 V, 4.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 9/9頁 |
文件大小: | 617K |
代理商: | FQD2N60C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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FQU2N60C | 600V N-Channel MOSFET |
FQD30N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQU30N06L | 60V LOGIC N-Channel MOSFET |
FQD30N06 | 60V N-Channel MOSFET |
FQU30N06 | 60V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FQD2N60C_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
FQD2N60CTF | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD2N60CTF_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 600V 1.9A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD2N60CTM | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FQD2N60CTM_WS | 功能描述:MOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |