參數(shù)資料
型號： FQB45N03L
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 45A條（?。﹟對263AB
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 654K
代理商： FQB45N03L
F
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1. May 2001
Charge
V
GS
5V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
5V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FQI45N03L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-263
FQB58N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 57.5A I(D) | TO-263AB
FQI58N08 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 57.5A I(D) | TO-262AA
FQB9N30 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB
FQB9N30 300V N-Channel MOSFET(漏源電壓為300V的N溝道增強型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FQB45N03LTM 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB45N15V2 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQB45N15V2TM 功能描述:MOSFET N_ch/150V/45A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FQB46N15 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel MOSFET
FQB46N15TM 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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