參數(shù)資料
型號： FP30L100E
英文描述： Industrial Control IC
中文描述： 工業(yè)控制IC
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 59K
代理商： FP30L100E
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PDF描述
FP3W90HVX2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC
FP4050 2-WATT POWER PHEMT
FPD03784
FPD10000AF 10W PACKAGED POWER PHEMT
FPD10000V 10W POWER PHEMT FOR WIMAX POWER AMPLIFIERS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FP30R06KE3 功能描述:IGBT 模塊 600V PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP30R06W1E3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 37A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP30R06W1E3_B11 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 30A 600V
FP30R06YE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 37A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP30R06YE3_B4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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