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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FP30D250E |
| 英文描述： | Industrial Control IC |
| 中文描述： | 工業(yè)控制IC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | FP30D250E |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP30L100E | Industrial Control IC |
| FP3W90HVX2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247AC |
| FP4050 | 2-WATT POWER PHEMT |
| FPD03784 | |
| FPD10000AF | 10W PACKAGED POWER PHEMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP30L100E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial Control IC |
| FP30R06KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 600V PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP30R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 37A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP30R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 30A 600V |
| FP30R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 37A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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