參數(shù)資料
型號(hào)： FMMT5401
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
中文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 27K
代理商： FMMT5401
SOT23 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ISSUE 4 - NOVEMBER 1996
%
PARTMARKING DETAILS -
FMMT5400 - 1LZ
FMMT5401 - Z2L
COMPLEMENTARY TYPES -
FMMT5400 FMMT5550
FMMT5401 FMMT5551
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
FMMT5400
FMMT5401
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
-130
-160
V
Collector-Emitter Voltage
-120
-150
V
Emitter-Base Voltage
-5
-5
V
Continuous Collector Current
-600
-600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range T
j
:T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
330
330
mW
-55 to +150
°C
FMMT5400
FMMT5401
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-130
-160
V
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-120
-150
V
I
C
=-1mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
-5
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
-100
-50
-50
nA
μ
A
nA
μ
A
V
CB
=-100V
V
CB
=-100V, T
A
=100°C
V
CB
=-120V
V
CB
=-120V, T
A
=100°C
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
30
40
40
-180
50
60
50
240
I
C
=-1mA, V
CE
=-5V
I
C
=-10mA, V
CE
=-5V
I
C
=-50mA, V
CE
=-5V
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
I
C
=-10mA, I
B
=-1mA
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA
MHz I
=-10mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.2
-0.5
-0.2
-0.5
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.0
-1.0
-1.0
-1.0
V
V
Transition
Frequency
f
T
100
400
100
300
Output Capacitance
C
obo
h
fe
6.0
6.0
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
I
=-1mA, V
CE
=-10V
f=1KHz
I
C
=-250
μ
A, V
CE
=-5V,
R
S
=1K
f=10Hz to 15.7KHz
Small Signal
30
200
40
260
Noise Figure
NF
8
8
dB
Periodic Sample Test Only
FMMT5400
FMMT5401
C
B
E
PAGE NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT549 PNP Low Saturation Transistor
FMMT549 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
FMMT549A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
FMMT551 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT555 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMMT5401TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT5401TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT549 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT549_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Low Saturation Transistor
FMMT549A 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
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