參數(shù)資料
型號： FMMT4403
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
中文描述： SOT23封裝進步黨一般用途的硅平面晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： FMMT4403
SOT23 PNP SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
ISSUE 2 - MARCH 1995
%
PARTMARKING DETAILS:
FMMT4402 - 2K
FMMT4403 - 2L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-40
V
Collector-Emitter Voltage
-40
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-600
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
FMMT4402
PARAMETER
SYMBOL
FMMT4403
UNIT CONDITIONS
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-40
-40
V
IC=-1mA, I
B
=0
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-40
-40
V
I
C
=-0.1mA, I
E
=0
Emitter-Base
Breakdown Current
V
(BR)EBO
-5
-5
V
IE=-0.1mA, I
C
=0
Collector-Emitter
Cut-Off Current
I
CEX
-0.1
-0.1
μ
A V
CE
=-35V
V
EB(off)
=-0.4V
μ
A V
CE
=-35V
V
EB(off)
=-0.4V
I
C
=-0.1mA, V
=-1V
I
C
=-1mA, V
CE
=-1V
I
C
=-10mA, V
CE
=-1V
I
C
=-150mA,V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA,V
CE
=-2V*
Base Cut-Off
Current
I
BEX
-0.1
-0.1
Static Forward
Current
TransferRatio
h
FE
30
50
50
20
150
30
60
100
100
20
300
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.4
-0.75
-0.4
-0.75
V
V
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA,I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
MHz I
=-20mA,V
CE
=-10V
f=100MHz
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.75
-0.95
-1.3
-0.75
-0.95
-1.3
V
V
Transition
Frequency
f
T
150
200
Output Capacitance
C
obo
8.5
8.5
pF
V
=-10 V,I
E
=0
f=100kHz
Input Capacitance
C
ibo
30
30
pF
V
BE
=0.5V
I
C
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
FMMT4402
FMMT4403
C
B
E
PAGE NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMMT4402 SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
FMMT449 NPN Low Saturation Transistor
FMMT449 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FMMT5400 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
FMMT5401 SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
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參數(shù)描述
FMMT4403-2L 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
FMMT4403TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT4403TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT449 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FMMT449TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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