參數(shù)資料
型號： FLM7785-4F
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： C-Band Internally Matched FET
中文描述： C波段內(nèi)部匹配場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 233K
代理商： FLM7785-4F
2
FLM7785-4F
C-Band Internally Matched FET
POWER DERATING CURVE
12
24
30
18
6
0
50
Case Temperature (
°
C)
100
150
200
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 8.5 GHz
f2 = 8.51 GHz
2-tone test
12
14
16
18
20
22
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
21
23
25
27
29
31
33
-50
-40
-30
-20
-10
O
IM3
Pout
I
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
Pin=28.5dBm
26.5dBm
24.5dBm
22.5dBm
7.9
7.7
8.1
8.3
8.5
Frequency (GHz)
34
35
36
37
38
33
O
VDS=10V
P1dB
VDS=10V
f = 8.1 GHz
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
18
20
22
24
26
28
30
Input Power (dBm)
34
36
38
32
30
28
30
45
15
O
η
add
Pout
η
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FLM7785-6F C-Band Internally Matched FET
FLV110 SECOND SOURCE T-1 3/4 SOLID STATE LAMPS
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FM0206-L Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
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參數(shù)描述
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