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參數(shù)資料
| 型號： | FLM1414-3F |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | Internally Matched Power GaAs FET |
| 中文描述： | 內(nèi)部匹配砷化鎵場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | FLM1414-3F |
2
FLM1414-3F
Internally Matched Power GaAs FET
POWER DERATING CURVE
50
0
150
200
Case Temperature (
°
C)
30
20
10
T
OUTPUT POWER & IM3 vs. INPUT POWER
VDS=10V
f1 = 14.5 GHz
f2 = 14.51 GHz
2 - tone test
20
18
Pout
IM3
22
24
26
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
O
-25
-15
-35
-45
-55
27
25
23
29
33
31
21
I
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
Pin=31dBm
29dBm
27dBm
25dBm
14.0
14.4
14.5
14.3
14.1
14.2
Frequency (GHz)
32
33
34
35
36
O
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
18
26
24
28
30
32
34
36
20
22
24
26
28
30
32
20
10
30
40
Input Power (dBm)
O
η
add
Pout
η
a
VDS=10V
f = 14.25 GHz
VDS=10V
P1dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| FLM1415-3F | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:Internally Matched Power GaAs FET |
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